Zarządzanie termiczne elektroniką z azotku galu

Oryginalny tytuł:

Thermal Management of Gallium Nitride Electronics

Zawartość książki:

Książka „Thermal Management of Gallium Nitride Electronics” przedstawia podejścia techniczne podejmowane przez liderów społeczności, wyzwania, przed którymi stanęli, oraz wynikające z nich postępy w tej dziedzinie. Książka ta służy jako kompleksowe źródło informacji dla badaczy zajmujących się złożonymi urządzeniami półprzewodnikowymi, których zadaniem jest rozwiązanie tego wyzwania inżynieryjnego dla przyszłych systemów materiałowych opartych na półprzewodnikach o ultraszerokim paśmie wzbronionym.

Uwzględniono szereg perspektyw, takich jak metody wzrostu nanokrystalicznego diamentu, integracja materiałów polikrystalicznego diamentu poprzez łączenie wafli oraz nowa fizyka transportu termicznego przez heterogeniczne interfejsy. W ciągu ostatnich 10 lat autorzy książki przeprowadzili pionierskie eksperymenty w zakresie integracji nanokrystalicznych diamentowych warstw wierzchnich w procesie wytwarzania złożonych urządzeń półprzewodnikowych. Od tego czasu wiele grup zgłosiło znaczące wysiłki badawcze w zakresie integracji diamentu i GaN, co zaowocowało aktywnymi opcjami zarządzania temperaturą, które niekoniecznie prowadzą do obniżenia wydajności w celu uniknięcia samonagrzewania się podczas częstotliwości radiowej lub przełączania mocy tych urządzeń.

Samonagrzewanie odnosi się do zwiększonej temperatury kanału spowodowanej zwiększonym transferem energii z elektronów do sieci przy dużej mocy. Niniejsza książka jest kroniką tych przełomowych odkryć.