Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia mocy: Materiały, fizyka, projektowanie i zastosowania

Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia mocy: Materiały, fizyka, projektowanie i zastosowania (Jayant Baliga B.)

Oryginalny tytuł:

Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications

Zawartość książki:

Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia zasilające: Materials, Physics, Design and Applications zapewnia czytelnikom pojedyncze źródło informacji o tym, dlaczego te urządzenia są lepsze od istniejących urządzeń krzemowych.

Książka kładzie podwaliny pod zrozumienie szeregu zastosowań i przewidywanych korzyści w zakresie oszczędności energii. Autorem książki jest założyciel Power Semiconductor Research Center na North Carolina State University (i twórca urządzenia IGBT), dr B.

Jayant Baliga, który jest jednym z najbardziej cenionych ekspertów w tej dziedzinie. W związku z tym przewodzi on zespołowi, który kompleksowo analizuje materiały, fizykę urządzeń, rozważania projektowe i omawiane istotne zastosowania.

Dodatkowe informacje o książce:

ISBN:9780081023068
Autor:
Wydawca:
Język:angielski
Oprawa:Miękka oprawa
Rok wydania:2018
Liczba stron:418

Zakup:

Obecnie dostępne, na stanie.

Inne książki autora:

Podstawy urządzeń półprzewodnikowych mocy - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Książka Fundamentals of Power Semiconductor Devices...
Podstawy urządzeń półprzewodnikowych mocy - Fundamentals of Power Semiconductor Devices
Urządzenia zasilające z azotku galu i węglika krzemu - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power...
W ciągu ostatnich 30 lat poczyniono znaczne...
Urządzenia zasilające z azotku galu i węglika krzemu - Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices
Urządzenie IGBT: Fizyka, projektowanie i zastosowania tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką -...
The IGBT Device: Physics, Design and Applications...
Urządzenie IGBT: Fizyka, projektowanie i zastosowania tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką - The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor
Urządzenia zasilające z węglika krzemu - Silicon Carbide Power Devices
Półprzewodnikowe urządzenia mocy są szeroko stosowane do kontroli i...
Urządzenia zasilające z węglika krzemu - Silicon Carbide Power Devices
Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia mocy: Materiały, fizyka, projektowanie i zastosowania -...
Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia...
Szerokopasmowe półprzewodnikowe urządzenia mocy: Materiały, fizyka, projektowanie i zastosowania - Wide Bandgap Semiconductor Power Devices: Materials, Physics, Design, and Applications
Nowoczesne urządzenia zasilające z węglika krzemu - Modern Silicon Carbide Power Devices
Urządzenia zasilające z węglika krzemu są coraz...
Nowoczesne urządzenia zasilające z węglika krzemu - Modern Silicon Carbide Power Devices
Zaawansowane koncepcje mosfetów mocy - Advanced Power Mosfet Concepts
W ciągu ostatniej dekady zaproponowano wiele nowych koncepcji poprawy wydajności...
Zaawansowane koncepcje mosfetów mocy - Advanced Power Mosfet Concepts

Prace autora wydały następujące wydawnictwa:

© Book1 Group - wszelkie prawa zastrzeżone.
Zawartość tej strony nie może być kopiowana ani wykorzystywana w całości lub w części bez pisemnej zgody właściciela.
Ostatnia aktualizacja: 2024.11.13 21:45 (GMT)