Symulacja 3D TCAD dla urządzeń nanoelektronicznych CMOS

Ocena:   (4,7 na 5)

Symulacja 3D TCAD dla urządzeń nanoelektronicznych CMOS (Yung-Chun Wu)

Opinie czytelników

Obecnie brak opinii czytelników. Ocena opiera się na 2 głosach.

Oryginalny tytuł:

3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Zawartość książki:

Wprowadzenie do interfejsu obsługi i narzędzi środowiska programistycznego Synopsys Sentaurus TCAD w wersji 2014.

- Analiza symulacyjna 2D MOSFET. - Analiza symulacyjna 3D FinFET z LG = 15 nm.

- Analiza symulacyjna inwertera i pamięci SRAM układu 3D FinFET o LG = 15 nm. - Analiza symulacyjna GAA NWFET. - Analiza symulacyjna Junctionless FET z LG = 10 nm.

- Analiza symulacyjna tunelowego tranzystora FET. - Analiza symulacyjna Si i Ge 3D FinFET z LG = 3 nm.

Dodatkowe informacje o książce:

ISBN:9789811030659
Autor:
Wydawca:
Oprawa:Twarda oprawa
Rok wydania:2017
Liczba stron:330

Zakup:

Obecnie dostępne, na stanie.

Inne książki autora:

Symulacja 3D TCAD dla urządzeń nanoelektronicznych CMOS - 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic...
Wprowadzenie do interfejsu obsługi i narzędzi...
Symulacja 3D TCAD dla urządzeń nanoelektronicznych CMOS - 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

Prace autora wydały następujące wydawnictwa:

© Book1 Group - wszelkie prawa zastrzeżone.
Zawartość tej strony nie może być kopiowana ani wykorzystywana w całości lub w części bez pisemnej zgody właściciela.
Ostatnia aktualizacja: 2024.11.13 21:45 (GMT)