Ocena:
Obecnie brak opinii czytelników. Ocena opiera się na 2 głosach.
3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
Wprowadzenie do interfejsu obsługi i narzędzi środowiska programistycznego Synopsys Sentaurus TCAD w wersji 2014.
- Analiza symulacyjna 2D MOSFET. - Analiza symulacyjna 3D FinFET z LG = 15 nm.
- Analiza symulacyjna inwertera i pamięci SRAM układu 3D FinFET o LG = 15 nm. - Analiza symulacyjna GAA NWFET. - Analiza symulacyjna Junctionless FET z LG = 10 nm.
- Analiza symulacyjna tunelowego tranzystora FET. - Analiza symulacyjna Si i Ge 3D FinFET z LG = 3 nm.
© Book1 Group - wszelkie prawa zastrzeżone.
Zawartość tej strony nie może być kopiowana ani wykorzystywana w całości lub w części bez pisemnej zgody właściciela.
Ostatnia aktualizacja: 2024.11.13 21:45 (GMT)