Nanostruktury krzemowo-germanowe (Sige): Produkcja, właściwości i zastosowania w elektronice

Oryginalny tytuł:

Silicon-Germanium (Sige) Nanostructures: Production, Properties and Applications in Electronics

Zawartość książki:

Nanostrukturalny krzem-german (SiGe) otwiera perspektywy dla nowych i ulepszonych urządzeń elektronicznych, zwłaszcza dla urządzeń półprzewodnikowych. Nanostruktury krzemowo-germanowe (SiGe) stanowią przegląd materiałoznawstwa nanostruktur oraz ich właściwości i zastosowań w różnych urządzeniach elektronicznych.

Część pierwsza obejmuje właściwości strukturalne nanostruktur SiGe, a kolejny rozdział omawia elektroniczne struktury pasmowe stopów SiGe. Część druga koncentruje się na tworzeniu nanostruktur SiGe, z rozdziałami poświęconymi różnym metodom wzrostu kryształów, takim jak epitaksja z wiązek molekularnych i chemiczne osadzanie z fazy gazowej. Ta część zawiera również rozdziały dotyczące inżynierii odkształceń i modelowania. Część trzecia obejmuje właściwości materiałowe nanostruktur SiGe, w tym rozdziały poświęcone takim tematom jak defekty wywołane odkształceniem, właściwości transportowe i mikrownęki oraz kwantowe struktury laserów kaskadowych. W części czwartej omówiono urządzenia wykorzystujące stopy SiGe. Rozdziały obejmują zintegrowane aplikacje na bardzo dużą skalę, tranzystory MOSFET i zastosowanie SiGe w różnych typach tranzystorów i urządzeń optycznych.

Dzięki wybitnym redaktorom i zespołowi międzynarodowych współpracowników, nanostruktury krzemowo-germanowe (SiGe) są standardowym źródłem informacji dla naukowców zajmujących się urządzeniami półprzewodnikowymi i materiałami w przemyśle i środowisku akademickim, szczególnie tych zainteresowanych nanostrukturami.

⬤ Omawia materiałoznawstwo nanostruktur oraz ich właściwości i zastosowania w różnych urządzeniach elektronicznych.

⬤ Ocenia właściwości strukturalne nanostruktur SiGe, omawiając elektroniczne struktury pasmowe stopów SiGe.

⬤ Analizuje tworzenie nanostruktur SiGe z wykorzystaniem różnych metod wzrostu kryształów, takich jak epitaksja z wiązek molekularnych i chemiczne osadzanie z fazy gazowej.