Magnetyzm indukowany defektami w półprzewodnikach tlenkowych

Oryginalny tytuł:

Defect-Induced Magnetism in Oxide Semiconductors

Zawartość książki:

Książka Defect Induced Magnetism in Oxide Semiconductors stanowi przegląd najnowszych osiągnięć inżynierii defektów w celu stworzenia nowych materiałów magnetycznych i umożliwienia nowych zastosowań technologicznych.

W pierwszej części książki przedstawiono mechanizmy, zachowanie i teorię magnetyzmu w półprzewodnikach tlenkowych oraz dokonano przeglądu metod indukowania magnetyzmu w tych materiałach. Następnie omówiono strategie, takie jak impulsowe osadzanie laserowe i rozpylanie RF w celu wytworzenia nanostrukturalnych materiałów tlenkowych z indukowanym magnetyzmem. Następnie dokonano przeglądu najistotniejszych metod po osadzaniu w celu indukowania magnetyzmu w półprzewodnikach tlenkowych, w tym wyżarzania, napromieniowania jonowego i implantacji jonów. Przedstawiono przykłady magnetyzmu indukowanego defektami w półprzewodnikach tlenkowych wraz z wybranymi zastosowaniami.

Książka Defect Induced Magnetism in Oxide Semiconductors jest odpowiednim źródłem informacji dla naukowców ze środowisk akademickich oraz praktyków zajmujących się badaniami i rozwojem w przemyśle, pracujących w dziedzinie materiałoznawstwa i inżynierii materiałowej.