Efekty promieniowania w węgliku krzemu

Oryginalny tytuł:

Radiation Effects in Silicon Carbide

Zawartość książki:

W książce dokonano przeglądu najciekawszych, zdaniem autora, publikacji dotyczących defektów radiacyjnych powstających w 6H-, 4H- i 3C-SiC pod wpływem napromieniowania elektronami, neutronami i niektórymi rodzajami jonów. Na początku omówiono parametry elektryczne SiC, które czynią ten materiał obiecującym do zastosowania w nowoczesnej elektronice. Rozważono również specyficzne cechy struktury krystalicznej SiC. Wykazano, że podczas badania półprzewodników o szerokim paśmie wzbronionym konieczne jest uwzględnienie zależności temperaturowej szybkości usuwania nośników (ηe), która jest standardowym parametrem do określania twardości radiacyjnej półprzewodników. Wartości ηe uzyskane w wyniku napromieniowania różnych rodzajów SiC o przewodnictwie typu n i p są analizowane w zależności od rodzaju i energii napromieniowujących cząstek. Rozważane są możliwe fizyczne mechanizmy kompensacji danego materiału. Analizowany jest wpływ energii naładowanych cząstek na sposób powstawania defektów radiacyjnych i kompensacji przewodnictwa w półprzewodnikach poddanych napromieniowaniu.

Ponadto rozważana jest możliwość kontrolowanej transformacji polipropylenu węglika krzemu. Analizowany jest udział defektów radiacyjnych w procesach rekombinacji radiacyjnej i nieradiacyjnej w SiC.

Przedstawiono również dane dotyczące degradacji poszczególnych urządzeń elektronicznych z SiC pod wpływem promieniowania i wyciągnięto wnioski dotyczące odporności SiC na promieniowanie. Na koniec porównano twardość radiacyjną urządzeń opartych na krzemie i węgliku krzemu.