Electrical and Thermal Characterization of MESFETs, HEMTs and HBTs
Niniejsza praca zawiera kompleksowe omówienie zależności parametrów obwodu równoważnego od polaryzacji dla trzech urządzeń oraz obszerne omówienie zależności od temperatury.
Obejmuje ona: tranzystory MESFET z wytrawianiem wgłębnym i samonastawne tranzystory MESFET z lekko domieszkowanymi drenami i bez nich oraz tranzystory JFET, analizuje obwody równoważne pHEMTS oparte na GaAs i HEMT z dopasowaniem kratowym InP oraz opisuje wielkosygnałowy, zależny od temperatury ekstraktor modelu dla tranzystorów HBT A1GaAs-GaAs. Książka jest przeznaczona dla projektantów obwodów, twórców procesów i urządzeń oraz inżynierów testujących.